G-26D4型高精密單面光刻機(jī)

基本尺寸圖

一、主要用途

本設(shè)備用于中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、聲表面波器件的研制和生產(chǎn)，找平機(jī)構(gòu)（三點(diǎn)找平）極為突出，找平力極小，這帶來諸多顯著效果：一是在基片曝光操作上適用性廣泛，各類常規(guī)基片曝光時，本機(jī)均可穩(wěn)定、..應(yīng)對，保障曝光工作順利。其次，本機(jī)應(yīng)對特殊基片時表現(xiàn)..，如質(zhì)地易碎的砷化鉀、磷化銦基片，操作時不會被損壞就可完成曝光；對非圓形基片、小型基片這種特殊的、對精度要求高的基片，本機(jī)也能..完成曝光，滿足曝光需求。

LED曝光頭及部件圖

三點(diǎn)找平機(jī)構(gòu)高精度X、Y、Z、Q 調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)

二、主要性能指標(biāo)

1、曝光類型：單面，接觸式；

2、曝光面積：110×110mm；

3、曝光照度均勻性：≥97%（測量儀器：光強(qiáng)計(jì)；測量方法：逐點(diǎn)檢測法）；

4、曝光強(qiáng)度：≤30mw/cm²，可調(diào)范圍10%～100%（測量儀器：光強(qiáng)計(jì)；測量方法：紫外線照度計(jì)測量。）；

5、紫外光束角：≤3?；

6、紫外光中心波長：365nm（也可以配專用曝光頭實(shí)現(xiàn)g線、h線、I線的組合）；

7、光源質(zhì)保期：1年；

8、曝光分辨率：1μm；

9、曝光模式：可選擇一次曝光或套刻曝光；

10、顯微鏡掃描范圍：X： ±15mm   Y： ±15mm；

11、對準(zhǔn)范圍：X、Y：±3mm，Q：±3°；

12、套刻精度：1μm;(用戶的“版”、“片”精度必須符合國家規(guī)定，環(huán)境、溫度、濕度、塵埃能得到嚴(yán)格控制，采用進(jìn)口正性光刻膠，且勻膠厚度能得到嚴(yán)格控制，加之前后工藝..)見后面附件1；

13、分離量；0～50μm可調(diào)；

14、接觸－分離漂移：≤1μm；

15、曝光方式：密著曝光，可實(shí)現(xiàn)硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光；

16、找平方式：三點(diǎn)式自動找平；

17、顯微系統(tǒng)：雙視場CCD系統(tǒng)，顯微鏡91X～570X連續(xù)變倍（物鏡1.6X-10X連續(xù)變倍），雙物鏡距離可調(diào)范圍42mm～100mm，計(jì)算機(jī)圖像處理系統(tǒng)，19″液晶監(jiān)視器；

18、掩模版尺寸： 5″×5″；

19、基片尺寸：φ4″；

20、基片厚度：≤5 mm；

因基片的厚度不同，制作承片臺時需要進(jìn)行分級處理，單獨(dú)設(shè)計(jì)制作，1mm為一個等級(基片厚度:0-5mm可分為五個等級：0-1mm,1-2mm,2-3mm,3-4mm,4-5mm)其中：我公司隨機(jī)配送厚度為0-1mm等級的承片臺，若用戶還需其余等級承片臺（訂貨時用戶須說明，費(fèi)用另議）；

21、曝光定時：0～999.9秒可調(diào)；

22、對準(zhǔn)方式：手動；

23、曝光頭轉(zhuǎn)位：氣動；

24、設(shè)備所需能源：

電源：單相AC220V  50HZ ，功耗≤1.5KW；

潔凈空氣壓力：≥0.4MPa；

真空度：-0.07MPa~-0.09MPa；

25、尺寸和重量：

尺寸：機(jī)體1000 mm（長）×720 mm（寬）×1700mm（高），重量：≤200Kg；

26、G-26D4型光刻機(jī)的組成：

由主機(jī)（含機(jī)體和工作臺），對準(zhǔn)用單筒顯微鏡，LED鷹眼曝光頭組成；

27、附件如下：

a. 主機(jī)附件：（出廠時安裝到機(jī)器上）

1) 5"□型掩版夾盤。

              用于Φ4"基片的真空夾持承片臺。

b. 顯微鏡組成

(1) 單筒顯微鏡二個

(2) 兩個CCD

(3) 視頻連接線

(4) 計(jì)算機(jī)和19"液晶監(jiān)視器